分散劑在碳化硅領(lǐng)域的分散效應(yīng)及發(fā)展趨勢！

    近年來，隨著碳化硅材料的快速發(fā)展，人們對碳化硅的要求已經(jīng)進(jìn)入納米范圍。納米碳化硅由于其獨特的尺寸，在電學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、機(jī)械等方面顯示出驚人的優(yōu)勢，納米顆粒廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。

    1.碳化硅粉末分散原理由于納米粉末特殊的表面結(jié)構(gòu)和表面作用能，納米碳化硅顆粒的表面在生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中容易被污染，造成粘連和團(tuán)聚使其顆粒粒徑變大，使其失去納米特性，降低了材料的性能性。因此，控制納米粉體的團(tuán)聚成為開發(fā)高性能納米粉體的關(guān)鍵技術(shù)。消除團(tuán)聚，物理和化學(xué)的方法主要有兩種，后者用于大量團(tuán)聚的分散，因為隨著納米尺寸越來越小，團(tuán)聚變得越來越頑固，其中表面化學(xué)改性和分散劑分散成為主流。碳化硅團(tuán)聚分為軟團(tuán)聚和硬團(tuán)聚。

    軟團(tuán)聚是由靜電力和范德華力形成的，由于力很弱，很容易通過化學(xué)作用和機(jī)械力達(dá)到分散效應(yīng)。化學(xué)鍵作用理論是團(tuán)聚硬的主要原因，由于化學(xué)鍵的作用，硬的團(tuán)聚在分散的過程中很難被摧毀，那么軟的團(tuán)聚分散和硬的團(tuán)聚分散？又是如何呢。

    2.軟團(tuán)聚的分散軟團(tuán)聚形成機(jī)理簡單，離子鍵作用力弱。通過使用物理分散方法，碳化硅分散劑可以添加到分散納米。

    3.硬團(tuán)聚分散碳化硅表面的電荷是由硅烷醇分解引起的。在合成碳化硅粉末的過程中，納米粉末的表面是氧化層，這與碳化硅表面的化學(xué)特性非常相似。當(dāng)這些粉末在水中為分散時，硅層與水混合，在碳化硅粉末表面形成硅烷醇層，因此分散，很難打開，但碳化硅表面的氧化層和其他雜志可以通過酸洗釋放，以更好地吸附碳化硅分散劑形成一層包覆，使碳化硅均勻分散漿料。

    基于納米碳化硅及其復(fù)合材料的器件越來越多。隨著納米碳化硅粒徑效應(yīng)的降低，器件的性能得到了很大的。然而，納米碳化硅仍然面臨一些必須解決的問題。因此，我們應(yīng)該主要分析納米碳化硅的表面特性，以獲得更有效的新分散劑并達(dá)到很好的效果。

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